Software: SimX - Einfuehrung - Elektro-Chaos - Parameter-Identifikation: Unterschied zwischen den Versionen
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* Für den oberen Zweig muss man die Parameter '''Cj0''' und '''M''' so wählen, dass eine möglichst gute Übereinstimmung zu unserer Kennlinie der Diode '''BB 512''' erreicht wird. | * Für den oberen Zweig muss man die Parameter '''Cj0''' und '''M''' so wählen, dass eine möglichst gute Übereinstimmung zu unserer Kennlinie der Diode '''BB 512''' erreicht wird. | ||
* Das könnte man mit etwas Mühe auch noch manuell machen. Wir werden diesen Prozess jedoch mit Hilfe der numerischen Optimierung automatisieren. | * Das könnte man mit etwas Mühe auch noch manuell machen. Wir werden diesen Prozess jedoch mit Hilfe der numerischen Optimierung automatisieren. | ||
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* Man muss darauf achten, dass die Diode '''D''' in Sperr-Richtung betrieben wird. | |||
* Der Vorwiderstand '''RD''' der Diode '''D''' besitzt den gleichen Wert, wie der Vorwiderstand '''R''' der des Kennliniengesteuerten Kondensators. | |||
* Die Ausgangssignale der beiden Spannungssensoren werden in einen '''Function2'''-Block eingespeist. Dieser bildet das Fehlerquadrat der aktuellen Spannungsdifferenz: '''(x1-x2)^2''' . | |||
* Die Abweichung zwischen den Spannungsänderungen wird als [http://de.wikipedia.org/wiki/Fehlerquadratsumme '''Fehlerquadratsumme'''] durch Integralbildung berechnet. | |||
* Es sind nun die Dioden-Parameter '''Cj0''' und '''M''' gesucht, welche die kleinste Abweichung beim Aufladevorgang beider Kapazitäten ergeben. | |||
* '''Cj0''' ist der Wert der Sperrschicht-Kapazität für die Spannung Null. Dieser Wert wird also etwas größer als 600 pF sein. '''Mit cj0=800 pF''' haben wir einen realistischen Anfangswert. | |||
* '''M''' ist ein Koeffizent, welcher die Krümmung der C-Funktion beschreibt. Hier könnte man manuell nach günstigen Werten suchen, aber wir behalten den Vorgabewert M=0,5 und die Parametersuche der numerischen Optimierung! | |||
* Das konfigurierte Modell für die parameterfindung sollte das folgende verhalten zeigen: | |||
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Version vom 5. September 2011, 12:48 Uhr
Das Dioden-Modell in der SimulationX-Bibliothek bildet das Verhalten einer Halbleiter-Diode bedeutend besser ab, als unser einfaches Kennlinien-Modell für die Sperrschichtkapazität. Deshalb sollte man in einer elektronischen Schaltung natürlich das Bibliothekselement nutzen, wenn man eine C-Diode benötigt.
Leider gibt es keine Möglichkeit, eine beliebige C-Kennline direkt in dieses Dioden-Modell einzulesen. Die Kennline wird darin durch eine vorgegebene Funktion nachgebildet, deren Parameter man einstellen kann.
Das Ziel der nächsten Experimente soll die Parameter-Findung für diese Kennlinien-Funktion unter Nutzung der numerischen Optimierung sein. Dazu erstellen wir aus unserem Modell C-Kennlinie.ism eine Kopie Parameterfindung.ism. Dieses Modell werden im Folgenden nutzen:
- Das Element dC_dt für die Bildung der Ableitung können wir in der Modellstruktur löschen.
- Wir holen uns eine Diode aus der Modell-Bibliothek und öffnen den Eigenschaftsdialog. Hier kann man zwischen verschiedenen Typen von Dioden-Modellen umschalten:
- Das Spice-ähnliche Diodenmodell ist das, welches unter anderem auch die Sperrschicht-Kapazität in Abhängigkeit von der Spannung berücksichtigt. Ruft man innerhalb des Eigenschaftsdialogs mit <F1> die Hilfe auf, so erhält man einen Überblick über die implementierten physikalischen Effekte und die zugehörigen Modell-Parameter:
- Unsere Kennlinie ist durch den oberen Zweig der Formel beschrieben. Der untere Teil beschreibt den Durchlassbereich der Diode.
- Für den oberen Zweig muss man die Parameter Cj0 und M so wählen, dass eine möglichst gute Übereinstimmung zu unserer Kennlinie der Diode BB 512 erreicht wird.
- Das könnte man mit etwas Mühe auch noch manuell machen. Wir werden diesen Prozess jedoch mit Hilfe der numerischen Optimierung automatisieren.
Im Dioden-Modell wird der aktuelle Wert der Kapazität nicht als Variablen-Wert berechnet. Deshalb entfällt der direkte Vergleich der Kapazitäten von Diode und Kennlinien-Modell als Kriterium für die Optimierung. Man könnte mit etwas Aufwand die Berechnung der Dioden-Kapazität ergänzen, aber wir gehen einen anderen Weg der Parameter-Identifikation:
- Wenn unsere Kennlinien-Kapazität das gleiche Verhalten beim Aufladen zeigt, wie die Sperrschicht-Kapazität der Diode, dann sollte die Abhängigkeit der Kapazität von der Spannung in beiden Elementen den gleichen Verlauf haben.
- Wir konfigurieren deshalb unser Modell so, dass die C-Diode und unsere Kennlinien-Kapazität gleichzeitig unter gleichen Bedingungen aufgeladen werden.
- Die Abweichung zwischen den Signalen der Kondensatorspannungen sollen minimal werden. Deshalb wird diese Abweichung im Modell als Gütekriterium berechnet.
Die dafür erforderliche Modellstruktur ist ziemlich einfach:
- Das eigene Kennlinienmodell wurde jetzt C_Kennlinie genannt.
- Man muss darauf achten, dass die Diode D in Sperr-Richtung betrieben wird.
- Der Vorwiderstand RD der Diode D besitzt den gleichen Wert, wie der Vorwiderstand R der des Kennliniengesteuerten Kondensators.
- Die Ausgangssignale der beiden Spannungssensoren werden in einen Function2-Block eingespeist. Dieser bildet das Fehlerquadrat der aktuellen Spannungsdifferenz: (x1-x2)^2 .
- Die Abweichung zwischen den Spannungsänderungen wird als Fehlerquadratsumme durch Integralbildung berechnet.
- Es sind nun die Dioden-Parameter Cj0 und M gesucht, welche die kleinste Abweichung beim Aufladevorgang beider Kapazitäten ergeben.
- Cj0 ist der Wert der Sperrschicht-Kapazität für die Spannung Null. Dieser Wert wird also etwas größer als 600 pF sein. Mit cj0=800 pF haben wir einen realistischen Anfangswert.
- M ist ein Koeffizent, welcher die Krümmung der C-Funktion beschreibt. Hier könnte man manuell nach günstigen Werten suchen, aber wir behalten den Vorgabewert M=0,5 und die Parametersuche der numerischen Optimierung!
- Das konfigurierte Modell für die parameterfindung sollte das folgende verhalten zeigen:
===>>> Hier geht es bald weiter !!!